2026九峰山论坛

本次展会，芯丰精密将携带多项核心技术成果亮相，全方位展示我们在高端半导体设备领域的突破性进展：

碳化硅（SiC）被称为第三代半导体的“黄金赛道”，随着三维堆叠技术和AI大算力芯片的爆发，晶圆需要磨得越来越薄。

芯丰精密自主研发的第三代半导体减薄设备，能够满足碳化硅等超硬衬底减薄要求，技术储备富裕，可根据客户需求提供特质化服务及相关耗材。

芯丰精密研发的UNI-G231是针对碳化硅晶圆优化设计的全自动双轴减薄机，搭配高功率主轴，兼容6/8英寸碳化硅晶圆，具有优秀的TTV及LTV表现。

UNI-G341同样是芯丰精密针对6/8寸三代半导体自主研发的三轴碳化硅减薄设备。与UNI-G231相比，它采用三轴加工模式，缩短单片的加工周期，实现更高的WPH。

芯丰精密的碳化硅减薄设备以其贴膜工艺TTV稳定在≤2μm，LTV<1μm的优异表现，在国内头部衬底厂与晶圆厂均已通过验收。

UNI-D310T主要应用于芯片制造的封装环节，特别是先进封装领域。最显著的技术亮点是将晶圆修边与划片两道关键工艺集成于同一机台，具备环切、半切、全切多种加工模式。这不仅缩短了加工流程，还减少了机台占用空间，帮助客户降低采购和维护成本。

我们不只提供单一设备，更提供 “精密设备+核心算法+工艺服务” 的全栈式解决方案。目前，我们的产品矩阵已涵盖10余款机型，多款设备已实现量产并进入国内头部FAB厂产线，累计出货量实现跨越式增长。

2026九峰山论坛以“新赛道、新技术、新产品、新市场”为主题，汇聚了全球化合物半导体领域的智慧与资源。

这不仅是技术的秀场，更是供需对接的桥梁。在本届展会上，您将有机会：

亲眼目睹：芯丰精密设备在微米级世界的“舞蹈”。

深度对话：与我们的核心技术团队探讨晶圆减薄、环切在化合物半导体（SiC、GaN等）领域的特殊挑战与应对策略。

合作共赢：共同探索在3D IC、先进封装等热门赛道的设备国产化替代之路。

从宁波到武汉，从单点突破到矩阵出击。

芯丰精密立志构建全球领先的半导体设备研发与制造高地。2026年4月23日，我们在光谷等您，不见不散！